Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Saioa amaitu
Euskera‎
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Hasiera > Berriak > Samsung-ek EUV teknologia DRAM produkzioan aplikatzen du lehenengo aldiz

Samsung-ek EUV teknologia DRAM produkzioan aplikatzen du lehenengo aldiz

ZDnet-en arabera, Samsung-ek iragarri du EUV teknologia arrakastaz aplikatu duela DRAM produkzioan.

Samsung-ek milioi bat 10nm DDR4 DRAM modulu bidali ditu EUV prozesua erabiliz, eta bezeroek ebaluatu dituzte. Samsungek esan du ebaluazioa amaitzeak DRAM berrien ekoizpen masiboa lortzeko bidea irekiko duela datorren urtean.

Pyeongtaek lantegiko Samsung-en EUV bakarrik V2 ekoizpen lineak DRAM moduluen produkzioa hasiko du urtearen bigarren seihilekoan. Ekoizpen-lerroak 4. belaunaldiko 10nm DDR5 eta LPDDR5 ekoiztea espero da.

Pyeongtaek lantegiak sortutako beste txipa hau da, 7nm chip logikoz gain, EUV teknologia erabiliz. Samsung-ek adierazi du EUV teknologiak 12 hazbeteko wafer bakarraren ekoizpen eraginkortasuna bikoiztuko duela.

Samsung, Intel eta TSMC bezalako erdieroaleen fabrikatzaileek txiparen ekoizpenean EUV teknologiaren erabilera zabaltzea espero da. Samsung-ek aurretik adierazi du EUV teknologia erabiltzeko asmoa duela 3nm txip ekoizteko.